IC Insights的报告显示，DRAM及NAND Flash售价已经连续四个季度上涨。

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201707/362402.htm

　　

不过因为原厂纷纷提出扩产计划，IC Insights稍早忧心忡忡认为，未来几年包括三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西部数据、武汉新芯、长江存储，都大举提高3D NAND Flash产能，大陆还有新建厂商也会加入战场，3D NAND Flash产能供过于求的可能性相当高。

　　近期SK海力士宣布今年资本支出追加至86.1亿美元，进行3D NAND Flash和DRAM两大内存扩产，让3D NAND存储器战火提前引爆。 市场正密切注意三星和美光的动作，担心DRAM涨势将提前画下句点。

　　SK海力士无锡厂主要以生产DRAM为主;另在南韩清州厂主要生产3D NAND Flash。 这两项新建投资原定完工时间是2019年上半年，如今将提早至明年第4季，比预定时间提早半年。

　　虽然SK海力士强调这是投资只要用于技术升级，即使新厂落成，也不会造成整体内存暴增，估计DRAM和NAND Flash产能只会增加3~5%，不会造成内存供过于求，不过业界担心内存乌云将提前飘至。

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